الذواكر الأولى في العالم من شركة سامسونج

[سيف الدّين]

كشفت شركة سامسونج، الشركة الرائدة عالمياً في مجال حلول أشباه الموصلات المتقدمة، النقاب عن الذواكر الأولى في العالم من نوع NAND والتي تعمل بتقنية 20 نانو متر.

وبإصدارها الذواكر الجديدة بسعة 32 غيغا بايت من جيل MLC NAND، فإن الشركة توسع حلول بطاقات الذاكرة المخصصة للهواتف الذكية بإطلاقها بطاقات ذاكرة ذات أداء فائق مضافاً إليها تطبيقات ذات مرونة عالية. وقال السيد سو أن تشو، رئيس قسم بطاقات الذاكرة في سامسونج: «بعد ما يقارب سنة من بدء التعامل مع بطاقات الذاكرة ذات تقنية 30 نانو متر، تطرح الشركة اليوم الجيل الجديد من ذواكر NAND بتقنية 20 نانو متر التي تلبي حاجات معظم المستخدمين الذين يبحثون عن الأداء العالي في هذه الذواكر والتي لا تعتبر فقط خطوة إلى الأمام في عملية التصميم، بل أيضاً تدمج التكنولوجيا المتقدمة لتمكنها من الأداء المبدع المستمر».
وتتميز الذاكرة بتقنية 20 نانو متر من جيل MLC NAND بقدرتها الإنتاجية التي تصل إلى 50 بالمئة أكثر من ذاكرتها بتقنية 30 نانو متر من جيل MLC NAND. وتتميز الذاكرة بتقنية 20 نانو متر وسعة 8 غيغا، بسرعة أكثر بـ30 بالمئة من الذاكرة بتقنية 30 نانو متر، حيث تصل سرعة الكتابة إلى 10 ميغا بايت في الثانية على حين تعطي سرعة قراءة تصل إلى 20 ميغا بايت في الثانية. وبدأت الشركة بإنتاج ذواكر NAND بسعة 32 غيغا بايت بتقنية 30 نانو متر في آذار 2009، وتوصل الآن عينات من بطاقات ذاكرة بتقنية 20 نانو متر وبسعة 32 غيغا بايت إلى زبائنها، ومن المتوقع أن تتوافر في الأسواق في وقت لاحق من هذا العام بسعات تمتد بين 4 غيغا بايت إلى 64 غيغا بايت.
وستدعم هذه الذواكر من نوع NAND متطلبات بطاقات الذاكرة ذات الأداء الفائق للهواتف الذكية، وتطبيقات تكنولوجيا المعلومات وبطاقات الذاكرة ذات الأداء العالي.